摘要 本发明公开了一种低界面态器件的制造方法,包括:-对衬底上的III族氮化物层进行远程等离子体表面处理;通过无氧传输系统将已处理的衬底转移至沉积腔室;以及在沉积腔室中在所述已处理的衬底上进行沉积。所述沉积可以是低压化学气相沉积(LPCVD)。通过集成低损伤远程等离子体表面处理和低压化学气相沉积技术,可以显著降低...
所述的碳化硅表面低界面态氧化层的制备方法的第一优选技术方案,所述外延衬底材料为n型或p型的4H-SiC或6H-SiC,其掺杂浓度为1×1013~1021cm-3,所述外延的厚度为0.1~500μm。 所述的碳化硅表面低界面态氧化层的制备方法的第二优选技术方案,所述清洗的方法为本领域技术人员熟知的各种清洗方法,尤其是RCA标准清洗...
低密度界面态的碳化硅功率半导体器件,具体是指,氧化膜4与碳化硅晶片1接触面呈现为低密度界面态。 29.为了能制备得到与碳化硅晶片1正面低密度界面态接触的氧化膜4,在碳化硅晶片1的正面先采用热氧化工艺制备得到氧化底膜2,氧化底膜2位于碳化硅晶片1的正面,如图2所示,其中,所采用热氧化工艺的方式以及条件等均可以根据需...
用电导法测定Si-SiO_低界面态密度和俘获截面(PDF),用电导法测定Si-SiO_低界面态密度和俘获截面(PDF),俘获截面,态密度,态密度图分析,局域态密度,电子态密度,能态密度,态密度图,分波态密度,界面态密度, 君,已阅读到文档的结尾了呢~~ 立即下载相似精选,再来一篇 ...
低界面态密度碳化硅功率半导体器件的制备方法专利信息由爱企查专利频道提供,低界面态密度碳化硅功率半导体器件的制备方法说明:本发明涉及一种低界面态密度碳化硅功率半导体器件的制备方法。按照本发明提供的技术方案,一种低界面...专利查询请上爱企查
[0004]本发明的技术解决方案:GaN HEMT低界面态绝缘栅,其结构是AlGaN/GaN异质结材料I上是SiN钝化层2,SiN钝化层2上是YO氧化层5,YO氧化层5上是HfO2介质6,HfO 2介质6的中间是栅帽金属7。[0005]其制作方法,包括如下步骤: 1)在已生长SiN钝化层(2)的AlGaN/GaN异质结材料(I)上通过光刻或电子束曝光、介质刻蚀、...
1.一种低界面态异质结光伏器件,其特征在于,包括p型晶硅衬底,所述p型晶硅衬底的底面设有背电极,p型晶硅衬底的顶面由下至上依次层叠有n型发射膜层、透明导电层与前电极,所述p型晶硅衬底的顶面呈凹凸的绒面结构。 2.根据权利要求1所述的一种低界面态异质结光伏器件,其特征在于,所述背电极为厚度0.8~1.2μ...
摘要 本发明公开了一种低界面态密度的SiCMOS电容制作方法,主要解决SiC/SiO2界面陷阱密度过高的问题。其制作过程是:对N-SiC外延材料进行清洗处理;离子注入N+离子到外延层中后,干氧氧化一层SiO2;对氧化后的样片,依次完成在Ar气环境中退火、在湿氧环境中湿氧氧化退火和在Ar气环境中的冷处理;采用化学气相淀积在冷处理...
摘要 本实用新型公开一种低界面态异质结光伏器件,包括p型晶硅衬底,所述p型晶硅衬底的底面设有背电极,p型晶硅衬底的顶面由下至上依次层叠有n型发射膜层、透明导电层与前电极,所述p型晶硅衬底的顶面呈凹凸的绒面结构;该异质结器件具有晶格匹配好、界面态密度低的优点,转换效率高,增强异质结光伏器件的整体性能...
一种碳化硅表面低界面态氧化层的制备方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种碳化硅表面低界面态氧化层的制备方法说明:本发明提供一种碳化硅表面低界面态氧化层的制备方法,所述方法包括1)清洗碳化硅外延衬底;2)氧化...专利查询请上爱企查