那二极管雪崩击穿电流公式到底是啥呢?它通常可以表示为:$I = A V^{n}$,这里的$A$是和二极管材料、结构相关的常数,$V$是反向电压,$n$一般在3到6之间。 我记得有一次,在实验室里和学生一起做实验。我们在研究不同类型二极管的特性,当逐渐增加反向电压时,大家都紧紧盯着电流表,眼睛都不敢眨一下,生怕错过那...
PMOS漏电Ioff,首先设定Vd=﹣1.1*VDD或者﹣1.1*VDDA,Vg=Vs=Vb=0V,测量电流Id,那么Ioff=Id/W。 影响晶体管漏电流的因素 阱离子注入异常;LDD离子注入异常;AA刻蚀损伤在退火过程中没有消除;接触孔刻蚀异常。 BVD测试条件 测量MOS晶体管击穿电压的基本原理是在晶体管的四端分别加载电压,栅极和衬底之间没有形成电压差...
四川电力技术SichuanElectricPowesTechnology3801年月第44卷第1期单星形接线电容器组击穿故障下桥差电流保护公式推导胡德雯1,,李自成,,林噌,,柴薪蛊1.国网四川省电力公司检修公司,,四川成都610041;;.成都理工大学工程技术学院,,四川乐山614099摘要:在电容器内部
发生击穿故障时,电容器组的电容会随之发生变化,将导致中性点电压发生偏移和不平衡电流的产生.首先,对电力系统中补偿电容器组的桥差保护计算公式进行推导,同时对电容器组单星形接线形式进行公式整理;然后,通过Matlab建立Simulink仿真模型,对不同击穿率下的电容器组运行情况进行仿真分析;最后,通过仿真数据对推导公式加以...