本发明属于半导体激光器领域,尤其涉及一种具有特殊光场集中结构的半导体激光器。本发明半导体激光器包含p面和n面电极、p型包覆层、p型光场集中结构、p型限制层、具有多量子阱可产生光子的有源层、n型限制层、n型光场集中结构、n型包覆层和衬底。其中n、p型光场集中结构为特殊光场集中结构,通过此特殊光场集中结构,光...
具有GRIN—SCH量子阱结构激光器光波导及光场特性分析光电子?弧光第1o卷第6期1999年12月JOURNAIOFOPTOELECTRONICS?LASERVo1.10No.6Dec.i999具有GRIN—SCH量子阱结构激光器光波导及光场特性分析嶝墨亟(河北工业大学.天津300130)(哈尔滨工业大学,哈尔滨150001)纠q$,/o勿摘要本文培出了具有GRIN—scH结掏量子阱激光器的...
本文给出了具有GRIN-SCH结构量子阱激光器的光波导模型和详细的数值计算方法,并计算分析了AlxGa1-xAsGRIN层中Al浓度和GRIN层厚度对等效折射率的影响,给出了GRIN层厚的最佳值范围;给出了宽接触InGaAs/AlGaAsGRIN-SCH量子阱激光器的近场分布三维图形,并由近场分布通过快速傅里叶变换求出了远场分布。计算得到的近、...