MOSFET开关速度极快,耐冲击性好,故障率低。电导率负温度系数,扩展性好。大功率应用时,成本不敏感,低压大电流是MOSFET的强项。 IGBT耐压比MOSFET容易做高,不易被二次击穿而失效,易于高压应用领域。 高压BJT需要使用低压大电流的电流源驱动,一般使用变压器驱动。如果驱动不当或电压应力过大时容易发生二次击穿失效。适合...
参考资料:Brief comparison Basic components(Electronoobs)Comparison of SCR...IGBT(electricalarticles)Grundlagen der Halbleitertechnik Teil 3(Technik selbst erlebt)Como funcionan un transistor(Virtual Brain, 视频播放量 5198、弹幕量 11、点赞数 257、投硬币
一.MOSFET与IGBT的区别 从结构上来讲,以N型沟道为例,IGBT与MOSFET的区别在于MOSFET 的衬底为N型,IGBT的衬底为P型;从原理上说IGBT相当于一格MOSFET与BIpolar的组合,通过背面P型层空穴降低器件的导通电阻,但同时也会引入一些拖尾电流问题,从产品上来说,IGBT一般用在高压功率产品上,从600V到几千伏都有,MOSFET应用电...
BJT出现在MOSFET之前,而MOSFET出现在IGBT之前,所以我们从中间者MOSFET的出现来阐述三者的因果关系。 MOSFET的出现可以追溯到20世纪30年代初。德国科学家Lilienfeld于1930年提出的场效应晶体管概念吸引了许多该领域科学家的兴趣,贝尔实验室的Bardeem和Brattain在1947年的一次场效应管发明尝试中,意外发明了电接触双极晶体管(B...
功率BJT,MOSFET和IGBT 功率BJT具有理想的导通状态传导性能;但是,它们是电流控制的设备,需要复杂的基础驱动电路。由于功率MOSFET是压控器件,我们需要更简单的驱动电路。 但是,功率MOSFET的主要挑战在于其导通电阻随器件击穿电压的增加而增加。在额定电压高于200 V的情况下,与BJT相比,MOSFET的导电性能较差。
全面解析BJT、FET、JFET、MOSFET、IGBT晶体管-晶体管是一种三端半导体器件,用于开关或放大信号。其输入端的小电流或电压可用于控制非常高的输出电压或电流。
IGBT是和功率MOSFET同步发展起来的一类开关器件,IGBT的优点在于做大功率时成本低,堪称“穷人的法拉利”,耐压比MOSFET容易做高。相比于BJT,更少被二次击穿而失效。常用于高压(600V)应用领域。以及低端大功率(2000W)设备,如电磁炉、逆变器等。BJT是最老的开关器件,目前由于国内仍有一批尚未淘汰的BJT...
引用:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极性三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。 上次从IGBT的名称入手,搞清楚了IGBT栅极和双极性所包含的背后意义。这次我们从IGBT的定义出发,来看看为什么说IGBT是由BJT和MOSFET组成的器件?它们之间有...
摘要:BJT出现在MOSFET之前,而MOSFET出现在IGBT之前,所以我们从中间者MOSFET的出现来阐述三者的因果关系。 BJT出现在MOSFET之前,而MOSFET出现在IGBT之前,所以我们从中间者MOSFET的出现来阐述三者的因果关系。 MOSFET的出现可以追溯到20世纪30年代初。德国科学家Lilienfeld于1930年提出的场效应晶体管概念吸引了许多该领域科学家...
2021 年中国 MOSFET 市场规模约为 46.6 亿美元,占全球市场的 41%。预计 2025 年中国 MOSFET 市场规模将增长至 64.7 亿美元,年化复合增长率为8.5%,增速高于全球市场增速。② MOSFET 产品的技术特点 功率器件种类较多,主要包括二极管、三极管(BJT)、晶闸管、MOSFET和IGBT等。其中,二极管、晶闸管、三极管(BJT...