百度试题 题目假设NMOS晶体管栅源电压大于阈值电压。当漏源电压VDS等于饱和电压VDSsat时,导电沟道靠近漏极处开始出现夹断。如果VDS继续增大,夹断点移向源极侧,沟道有效长度变短。 A.正确B.错误相关知识点: 试题来源: 解析 A
MOSFET的VDS-sat 一般0.2-4V。(同样的管子ID电流越大VDSsat越大,同样的管子驱动电压越高VDSsat越小)
网页 图片 视频 学术 词典 航班 vdssat网络电位差不变 网络释义 1. 电位差不变 ...电子的通 道部分长度愈短,且此部分兩端(S及X)的电位差不变(VDSsat),电流 变大。ja.scribd.com|基于1 个网页 隐私声明 法律声明 广告 反馈 © 2024 Microsoft...
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Hello, Is there a way to plot operating points like Vds,sat with respect to some variable using the calculator (time in transient analysis, DC sweep, etc)? Thank you, Guillaume Stats Locked Replies 1 Subscribers 117 Views 1881 Members are here 0 Community Guidelines The Cadence ...
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32、假设NMOS晶体管栅源电压大于阈值电压。当漏源电压VDS等于饱和电压VDSsat时,导电沟道靠近漏极处开始出现夹断。如果VDS继续增大,夹断点移向源极侧,沟道有效长度变短
二、E型NMOSFET,在VGS=5.5V时测得其饱和漏源电流IDSat= 3mA,跨导gms=1.5ms,若其栅氧化层厚度tox=120nm,μn= 500cm2/VS,试求其VT及W / L。 三、已知某n沟MOSFET的下列参数: tox=150nm, μn=500cm2/VS, L=4um, W=100um, VT=0.5V。 (1) 计算VGS=4V 时的 饱和区跨导gms. (2) 计算该器...
5 35 Sat Sep 04, 2004 3:05 pmSerge Advanced VDS 5 Source Code post advanced vds 5 source code here.may be complicated for beginners. 57 330 Tue May 04, 2021 4:56 amcnodnarb Advanced VDS 6 Source Code post advanced vds 6 source code here. may be complicated for beginners. 1 3 ...
点击查看答案 第7题 假设nmos晶体管栅源电压大于阈值电压.当漏源电压vds等于饱和电压vdssat时,导电沟道靠近漏极处开始出现夹断.如果vds继续增大,夹断点移向源极侧,沟道有效长度变短. 点击查看答案 第8题 n沟道耗尽型mosfet,已知夹断电压vpn= -1v,当vgs=1.5v时,夹断点电压对应的vds = v. 点击查看答案 ...