芯研所12月13日消息，目前半导体工艺已经发展到了5nm，而之后的1nm节点是个分水岭，需要全新的半导体技术。IBM、三星等公司上半年公布了全球首个2nm工艺芯片，现在双方又在IEDM 2021会议上宣布了最新的合作成果，推出了VTFET（垂直传输场效应晶体管）技术，它与传统晶体管的电流水平方向传输不同，是垂直方向传输的，...
2021 年底,IBM Research和三星电子之间的合作产生了一种新型晶体管VTFET,可以帮助规避与现有互补金属氧化物半导体 (CMOS) 相关的一些与缩放相关的限制。还可以显著改善性能和面积缩放,与FinFET架构相比,可能会减少多达 85% 的设备能耗。 我们采访了IBM的Brent Anderson和Hemanth Jagannathan,他们是创造VTFET的两位研究人...
据IBM 称,这些被称为垂直传输纳米片场效应晶体管 (VTFET:vertical-transport nanosheetfield-effect transistors ) 的新型晶体管可以显着改善性能和面积缩放,与缩放的 FinFET 架构相比,可能会减少多达 85% 的设备能耗. 我们采访了 IBM 的 Brent Anderson 和 Hemanth Jagannathan,他们是创造 VTFET 的两位研究人员,以...
利用VTFET技术，不但能缩小芯片的面积，还能提高能效或提供更强的性能。IBM和三星借助VTFET技术，向人们展示了CMOS半导体设计中，探索纳米以外的缩放性能是可能的。VTFET技术解决了许多性能上的障碍和限制，扩展了摩尔定律，让芯片设计人员可以在同样的空间里放置更多的晶体管，实现更大的飞跃。在今年宣布制造出全球首款...
手机充电一次可续航一周！三星IBM联合推出VTFET垂直晶体管 在旧金山举办2021届IEDM国际电子设备会议上，“蓝色巨人”IBM和三星共同发布了“垂直传输场效应晶体管（VTFET）”芯片设计技术。该技术以垂直方式堆叠晶体管，通过垂直流通的电流可再次提高晶体管的数量与密度，有助于缩小半导体芯片的尺寸并大大提高电源使用效率...
IBM与三星开发VTFET芯片技术：手机续航可长达2周！BM 与三星在半导体设计方面取得了一些突破，共同推出了垂直传输场效应晶体管 (VTFET) 的芯片设计技术。与传统晶体管的电流水平方向传输不用，是垂直方向传输的，借此让晶体管数量密度再次提高之外，还大幅度提高电源使用效率，并且有望进军1nm及以下工艺。VTFET技术有...
【垂直传输场效应晶体管 (VTFET) 设计旨在取代当前用于当今一些最先进芯片的 FinFET 技术,并能够让芯片上的晶体管分布更加密集。英特尔和三星两家公司指出 VTFET 芯片可以让设备“性能提高两倍或能源使用减少 85%”。】能够降低85%的能耗 IBM和三星的新芯片设计为什么这么牛? - IBM - cnBeta.COM O能够降低85%的...
12月17日消息，三星和IBM宣布推出了全新的半导体设计——使用垂直晶体管构架的垂直传输效应晶体管——VTFET。两家公司表示，和原本的缩放鳍式场效应晶体管 (finFET)相比，全新的构架可以将能源消耗减少85%，此外三星还公布了一项用于IBM服务器芯片的生产计划，将采用5nm工艺生产。VTFET是一种在芯片表面垂直叠堆晶体管...
近日在加州旧金山举办的IEDM 2021国际电子元件会议中，IBM与三星共同公布了名为垂直传输场效应晶体管（VTFET）的芯片设计技术，该技术将晶体管以垂直方式堆叠，并且让电流也改以垂直方式流通，借此让晶体管数量密度再次提高之外，更大幅提高电源使用效率，并且突破目前在1nm制程设计面临瓶颈。据了解，与传统水平堆叠晶体管...
华天科技(002185.SZ)12月31日在投资者互动平台表示,公司主营业务为集成电路封装测试。VTFET技术即垂直传输场效应晶体管技术,该技术并非集成电路封装测试技术。 原标题:华天科技:VTFET技术即垂直传输场效应晶体管技术,该技术并非集成电路封装测试技术