双端口RAM--verilog实现 双端⼝RAM--verilog实现双端⼝RAM 8bit*16 module test (input clka,input clkb,input rst,input w_en,input r_en,input [3:0]w_addr,input [3:0]r_addr,input [7:0]w_data,output reg [7:0]r_data );integer i;reg [7:0]mem[15:0];always @(posedge clka)...
rst='b1;endalways#5clk = ~clk;initialbegin#10;repeat(10)beginw_data= w_data +1'b1;#10;endendinitialbegin#10;repeat(10)beginw_addr= w_addr +1'b1;#10;endrepeat(10)beginr_addr= r_addr +1'b1;#10;endendinitialbeginw_en='b1;#110; r_en='b1;w_en ='b0;#110; r_en='b0;w...
用verilog设计双端口RAM(带下载链接) 简单双端口RAM设计(带下载链接) 1,设计需求 设计一个双端口的RAM,具有独立的读写时钟,独立读写地址和数据端口,具有复位功能,并具有读和写的使能信号。 2,端口设计 写通道(write) Wrclk 输入端口 写通道的时钟信号Aclear 输入端口 RAM复位信号Wren 输入端口 RAM写使能信号Wra...
verilog实现双端口RAM 最初在学习verilog时,在想分配的RAM空间如何赋初值。当时对verilog的for循环理解的不够深刻,没有真正理解可以通过for循环简化代码的真正意义。 generategenvari;for(i=0;i<128;i=i+1)begin:MEM_GENalways@(posedgeCLK_WorposedgeRST)beginif(RST)MEM[i]<=0;elseif(WRT_EN)MEM[i]<=(A...
本节中的代码示例显示了推断双端口同步RAM的Verilog HDL和VHDL代码。不同的综合工具对这些类型的存储器的支持可能有所不同。 IntelFPGA同步存储器模块有两个独立的地址端口,允许同时在两个唯一地址上进行操作。如果读取操作和写入操作共享相同的地址,那么它们可以共享相同的端口。
下面给出完整Verilog HDL设计代码: `timescale 1ns / 1ps // // Create Date: 2019/05/28 20:50:48 // Design Name: // Module Name: ram_dp_sr_sw // module ram_dp_sr_sw #( parameter data_0_WIDTH = 8, parameter ADDR_WIDTH = 8, ...
实现上述功能主要用到Verilog两个语法结构:parameter定义参数,实现参数化;generate语句,根据参数调用对应的功能块。 在FPGA设计中可能会出现对单端口RAM需求较大的情况。尽管Xilinx提供了将BRAM配置为单端口RAM的IP Core,但从资源角度来看,可能会造成浪费。例如,需要2个512x18的单端口RAM,若直接采用单端口RAM的配置方式...
此示例介绍了 Verilog HDL 中的一个 64 位 x 8 位的同步真双端口 RAM 设计,在相同时钟周期内支持独立读取或写入操作的任意组合。借助相应端口的写入支持输入,该设计单元会在读取操作和写入操作之间动态切换。合成工具能够检测 HDL 代码中的 RAM 设计,并根据目标设备架构自动推断 altsyncram 或 alt...
这是一段双端口RAM的verilog代码,在编译的时候reg [31:0] mem [127:0]; module Ram(data,clk,addr,wr,rd); input clk,wr,rd;//写高有效,读高有效input [8:0] addr; // RAM address inout [31:0] data; // RAM data reg [31:0] mem [127:0]; // 能存32位宽的128个数。
基于Verilog设计一个双端口RAM,并使用vcs+verdi对设计的伪双端口RAM进行仿真,双端口RAM分两种,本文涉及的伪双端口RAM是指读、写可同时进行,但是读写分为两个端口,FIFO中使用伪双端口RAM作为其中的一个组件。在NVDLA加速器中伪双端口RAM作为例化模块被用于组成卷积运算conv pipeline中的Convolution buffer。