晶闸管是一种电子器件,通常被用于高电压和大电流下的电力控制和变换。晶闸管的击穿电流是指在晶闸管正常工作范围内,当流经器件的电流超过一定数值时,晶闸管会失去控制而发生自热,最终可能导致晶闸管损坏的电流值。 二、影响晶闸管击穿电流的因素 晶闸管击穿电流值的大小与很多因素有关,其中最主要的因素包括: 1....
电压击穿和电流击穿虽然都是指导体失去电气绝缘能力的现象,但是它们的发生原因、特点和防范措施都有所不同。 电压击穿主要发生在高电场强度下,导致介质内部电离现象的发生,最终导致绝缘失效。电流击穿主要发生在电流过载或短路的情况下,导致导体超负荷热量过大,最终导致导体击穿。 为了防止电压击穿,需要提高介质...
1.性质上的区别 泄露电流是一种常规的电流,通常是微弱的直流电流.泄露电流的大小与设备的绝缘状态,接地状况和电源电压等因素有关.而击穿报警电流则是在某些特定情况下才会出现的急剧增加的电流,是电路出现异常情况的信号. 2.应用上的区别 泄露电流主要用于对设备或电路的绝缘状态进行监测.当...
一,电气元器件的击穿电流 电气元器件的击穿电流是在电气元器件受到一定电压激励下,电场强度达到了电气元器件介质耐受范围内的最大值时,电气元器件中开始出现放电现象的电流大小.一般来说,击穿电流的大小取决于电气元器件的工作电压,结构参数以及介质的性质等因素. 二,电气元器件击穿...
1.倒向击穿电流:当二极管反向电压超过其额定电压时,电荷集中在器件边缘处,导致电流快速增加,形成电击穿.在使用中,应该注意控制反向电压,避免倒向击穿电流的产生,从而提高器件的可靠性. 2.绝热击穿电流:当二极管反向电压超过器件材料绝热击穿电压时,会发生绝热击穿电流.绝热击穿电流通常在电压很高的场合下出现,如在...
稳压管的击穿电流并非一个固定的数值,而是受到多种因素的影响。一般来说,稳压管的击穿电流在几毫安到几百毫安之间。这一范围的形成与稳压管的材料、结构、工艺以及电路中的电压、温度等条件密切相关。 二、影响稳压管击穿电流的因素 1. 材料与结构:稳压管的材料和结构决定了其基本的电气特性。不同材料和结...
电容击穿电流问题解析 2023年11月03日 一,电容击穿现象 电容器是电子元器件中广泛使用的一个组件,它的主要作用是将电能储存起来并定向释放,常用于平滑电源,滤波,和干扰削弱等电路中.然而,在使用电容器时,一个常见的问题是电容器可能会发生击穿现象.电容器击穿指的是当电容器的电场强度过高时,会产生放电,导致电...
击穿放电时的电流大小是评估设备绝缘性能和安全性的重要指标。 一、击穿放电电流的一般范围 根据国家标准GB50150-2006《建筑电气设计标准》的规定,交流耐压试验中击穿放电时的电流大小通常为数十毫安至数百毫安不等。这一范围适用于大多数常见的电气设备和材料。然而,在特殊...
当施加电压大于氧化铝所能承受的电压时,氧化铝会被穿透而形成气体放电的现象,这被称为氧化铝的击穿现象。 二、判断击穿的依据 在氧化铝击穿电压测试中,我们需要了解如何判断何时发生了击穿。一般情况下,如果测试电流达到0.5mA,可以确认已经发生了击穿。但是在实际...
测量PMOS栅氧化层击穿电压BVgox,首先在栅电容的一端衬底上加载DC扫描电压,Vb从0V到12V,另一端多晶硅栅接地,测试电流Ib,得到Vb在Ib/Area=100 pA/um*2时的值,BVgox=Vb就是击穿电压。 影响电容BVgox的因素与影响电容Cgox的因素类似。 寄生MOS参数的测试结构 CMOS工艺技术平台的寄生MOS晶体管的结构分别是Poly栅和...